Samsung готовит новые твердотельные накопители емкостью до 256 ТБ

3 просмотров
Samsung готовит новые твердотельные накопители емкостью до 256 ТБ

На саммите рынка флэш-памяти Китая 2026 (CFMS 2026) компания Samsung представила новый твердотельный накопитель BM9K1.

Samsung V-NAND SSD

Особенности

По данным Samsung, BM9K1 достигает скорости последовательного чтения до 11,4 ГБ/с — на 60 % быстрее, чем BM9C1 предыдущего поколения, работающего на PCIe 4.0.

Особое внимание следует обратить на то, что в BM9K1 производитель полностью отказался от архитектуры Arm в пользу собственной разработки контроллера на базе RISC-V и с открытым исходным кодом. По данным корпорации, использование RISC-V позволяет тонко настроить прошивку для работы с памятью QLC NAND и оптимизировать шаблоны ввода-вывода, типичные для задач ИИ, что повысило энергоэффективность на 23% по сравнению с BM9C1.

Высокопроизводительные корпоративные твердотельные накопители Samsung теперь построены на проверенной 16-чиповой архитектуре. Такие решения уже способны достигать объемов до 128 ТБ в пятом поколении серии E3.S при использовании компоновки 32DP 16 на 2 ТБ. Будущие версии шестого поколения перейдут на конфигурацию 32DP 32 емкостью 2 ТБ, где каждый модуль будет содержать 32 многоуровневых чипа QLC, что увеличит емкость до 256 ТБ.

Увеличение количества чипов NAND на единицу площади обеспечивает существенное увеличение емкости хранилища без изменения внешних размеров устройства – важного фактора для современных дата-центров. В техническом плане Samsung большое внимание уделяется стандарту EDSFF, включая форм-фактор E3.S.

Разработанный специально для корпоративных и гипермасштабируемых решений, E3.S обеспечивает более эффективное охлаждение, повышенную экономию энергии и улучшенную масштабируемость по сравнению с твердотельными накопителями классических размеров.

Даты выхода

Выпуск BM9K1 запланирован на 2027 год, однако информация о цене и размере накопителя пока не разглашается.