Samsung создала чип флэш-памяти с 900 слоями
4 просмотров
Samsung первой разработала прототип чипа флэш-памяти, содержащего 900 слоев, сообщает ETNews.
Для достижения 900 слоев инженеры Samsung использовали технологию Cell Multi Bonding (CMB). Они соединили две пластины по 450 слоев в одну систему. Пришлось решить две технические проблемы: пластины не должны гнуться и перемещаться при склейке.
В настоящее время у основного конкурента, SK Hynix, в массовом производстве находится 321 слой. Сама компания Samsung в этом году начнет производить память с более чем 400 слоями. Китайский YMTC приближается к 300 слоям.
Однако когда технология с 900 слоями поступит в производство, пока неизвестно.
